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氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。

碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導(dǎo)體的材料有關(guān)，還和導(dǎo)體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi)：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ0是O℃時的電阻...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮∨c材料...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮∨c材料...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴散長度的方法。其原理是：用能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點方...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導(dǎo)體的長度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計算方法霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個參數(shù)，其大小與材料的電...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進行測量和自動成圖。該系統(tǒng)采用汞探針設(shè)計，...