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是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態(tài)和準穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現(xiàn)低電阻...

“方阻霍爾遷移率”這一表述通常指的是在半導體材料電學特性測量中，同時或關聯(lián)地獲取?方塊電阻（方阻）?和?霍爾遷移率?這兩個關鍵參數(shù)。它們是表征材料導電性能的核心指標，常通過霍爾效應測量技術聯(lián)合獲得。?...

在太陽能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務。電池廠商在制備ITO薄膜時，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎上更好的解決對ITO薄膜方阻有不利影響的因素...

公司生產(chǎn)的一款專業(yè)用于測量硅片等半導體材料少子壽命的測試儀器，?廣泛應用于太陽能電池制造、半導體材料質量評估及工藝監(jiān)控領域?。其核心功能是通過準穩(wěn)態(tài)光電導（QSSPC）和瞬態(tài)光電導技術，精確測量少數(shù)載...

BCT-400是生產(chǎn)的專業(yè)少子壽命測試儀，主要用于光伏行業(yè)單晶/多晶硅錠的載流子壽命檢測，具有非接觸測量、瞬態(tài)/準穩(wěn)態(tài)雙模式等特點

半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—10¹²Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測量方法。以下是關鍵信息：電阻率范圍標準范圍：10?—10¹...

電阻率是衡量材料對電流的抵抗程度的物理量。電阻正比于通路的長度，反比于導體材料的橫截面積，電阻率就是這個比例常數(shù)。電阻率是電導率的倒數(shù)，是材料的基本特性。電阻率通常用希臘字母ρ來表示，量綱是ML3T-...

半導體晶圓行業(yè)的需求量也在不斷增加。一般的晶圓片厚度有一定的規(guī)格，晶圓厚度對半導體器件的性能和質量都有著重要影響。而集成電路制造技術的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸也逐漸減小，帶動晶圓減薄工藝的興起與發(fā)展，晶...

高功率紅外微波少子壽命測試是通過光電導衰減、電阻率分析等技術手段，評估半導體材料中非平衡載流子復合速率的檢測方法。該方法采用準穩(wěn)態(tài)光電導（QSSPC）、高頻光電導衰減（HF-PCD）等獨特原理，可靈敏...

在半導體制造領域，鍵合晶圓技術廣泛應用于三維集成、傳感器制造等領域。然而，鍵合過程中諸多因素會導致晶圓總厚度偏差（TTV）增大，影響器件性能與良品率。因此，探索提高鍵合晶圓 TTV 質量的方法，對推動...

高精度少子壽命測試是評估半導體材料（如硅、鍺）中少數(shù)載流子復合速率的關鍵技術，廣泛應用于太陽能電池、半導體制造等領域。少子壽命：去除雜質缺陷可延長壽命，摻入金、鉑或電子輻照可縮短壽命。測試方法包括準穩(wěn)...

紅外激光少子壽命 指半導體中非平衡少數(shù)載流子在紅外激光激發(fā)下從產(chǎn)生到復合的平均存活時間。 ?測試方法紅外脈沖激光 激發(fā)半導體材料，通過 微波光電導衰減法 （ μ-PCD ）檢測電導率變化，從而推算少子...