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半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—10¹²Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測(cè)量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標(biāo)準(zhǔn)范圍：10?—10¹²Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片）
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-11-22訪 問 量：320
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半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—1012Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測(cè)量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標(biāo)準(zhǔn)范圍：10?—1012Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片.隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，行業(yè)對(duì)材料性能檢測(cè)的統(tǒng)一性需求日益突出。該標(biāo)準(zhǔn)的制定解決了原有測(cè)試方法不統(tǒng)一的問題，為研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用環(huán)節(jié)提供了規(guī)范化技術(shù)支撐.
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