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非接觸電阻率測(cè)試儀在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的作用
2025-08-28 霍爾遷移率測(cè)試儀的工作特點(diǎn)及具體工作過(guò)程
2025-06-26 2024-11-09 遷移率測(cè)試儀：準(zhǔn)確的遷移速率數(shù)據(jù)
2024-12-03 非接觸電阻率測(cè)試儀的使用指南，不可錯(cuò)過(guò)
2025-01-16 產(chǎn)品中心/ products
晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-06-26訪 問(wèn) 量：842
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專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn) ，攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。
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一、
晶圓電阻率測(cè)試儀
硅片方阻測(cè)試儀
渦流法低電阻率分析儀
晶錠電阻率分析儀
非接觸少子壽命
參數(shù) | 方阻 | 電阻率（厚度180um） | 方法 | |
探頭量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω?cm | 渦流法 | |
探頭性能 | 動(dòng)態(tài)重復(fù)性 | 靜態(tài)重復(fù)性 | 示值誤差 | |
1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω?cm） < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω?cm） < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω?cm） < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω?cm）< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探頭Ф20*145mm | 下探頭Ф20*50mm | ||
信號(hào)采集 | 采樣率：1500Sps | |||
采樣個(gè)數(shù)：512點(diǎn)/單次 | ||||
采樣緩存：8級(jí)數(shù)據(jù)記錄緩存 | ||||
數(shù)據(jù)傳輸：RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
傳輸協(xié)議：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用戶自定義協(xié)議等 | ||||
供電電源 | 24V/1A | |||
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